RadHard силовые p-канальные транзисторы на напряжение -200 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRH9230	TO-204AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6	-4	100	75
IRH9250	TO-204AE	DISCRETE	P	-200	0.315	-14	-9	100	150
IRH93230	TO-204AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4.1	300	75
IRH93250	TO-204AE	DISCRETE	P	-200	0.315	-14	-9	300	150
IRHE9230	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	0.8	-4.0	-2.4	100	25
IRHE93230	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	0.8	-4.0	-2.4	300	25
IRHF593230	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.54	-4.5	-3	300	25
IRHF597230	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.54	-4.5	-3	100	25
IRHF9230	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.8	-4	-2.4	100	25
IRHF93230	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.8	-4	-2.4	300	25
IRHM9230	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4.1	100	75
IRHM9250	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.315	-14	-9	100	150
IRHM9260	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.160	-27	-17	100	250
IRHM93230	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4.1	300	75
IRHM93250	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.315	-14	-9	300	150
IRHM93260	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.160	-27	-17	300	250
IRHMS593260	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.103	-32	-20	300	208
IRHMS597260	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.103	-32	-20	100	208
IRHN9230	SMD-1	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4	100	75
IRHN9250	SMD-1	DISCRETE	P	-200	0.315	-14	-9	100	150
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHN93230	SMD-1	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4	300	75
IRHN93250	SMD-1	DISCRETE	P	-200	0.315	-14	-9	300	150
IRHNA593260	SMD-2	DISCRETE	P	-200	0.102	-35.5	-22.5	300	300
IRHNA597260	SMD-2	DISCRETE	P	-200	0.102	-35.5	-22.5	100	300
IRHNA9260	SMD-2	DISCRETE	P	-200	0.154	-29	-18	100	300
IRHNA93260	SMD-2	DISCRETE	P	-200	0.154	-29	-18	300	300
IRHNJ593230	SMD-0.5	DISCRETE	P	-200	0.505	-8.0	-5	300	75
IRHNJ597230	SMD-0.5	DISCRETE	P	-200	0.505	-8.0	-5	100	75
IRHY593230CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-200	0.55	-8.0	-5	300	75
IRHY597230CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-200	0.55	-8.0	-5	100	75
IRHY9230CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4	100	75
IRHY93230CM	TO-257AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4	300	75
JANSF2N7383	TO-257AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4	300	75
JANSF2N7390	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.8	-4	-2.4	300	25
JANSF2N7390U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	0.80	-4.0	-2.4	300	25
JANSF2N7423	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.315	-14	-9	300	150
JANSF2N7423U	SMD-1	DISCRETE	P	-200	0.315	-14	-9	300	150
JANSF2N7426	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.160	-27	-17	300	250
JANSF2N7426U	SMD-2	DISCRETE	P	-200	0.154	-29	-18	300	300
JANSR2N7383	TO-257AA	DISCRETE	P	-200	0.8	-6.5	-4	100	75
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
JANSR2N7390	TO-205AF	DISCRETE	P	-200	0.8	-4	-2.4	100	25
JANSR2N7390U	18-pin LCC	DISCRETE	P	-200	0.80	-4.0	-2.4	100	25
JANSR2N7423	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.315	-14	-9	100	150
JANSR2N7423U	SMD-1	DISCRETE	P	-200	0.315	-14	-9	100	150
JANSR2N7426	TO-254AA	DISCRETE	P	-200	0.160	-27	-17	100	250
JANSR2N7426U	SMD-2	DISCRETE	P	-200	0.154	-29	-18	100	300

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения