RadHard счетверенные силовые n-канальные транзисторы

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHG53110	MO-036AB	QUAD	N	100	0.29	1.6	1	300	1.4
IRHG57110	MO-036AB	QUAD	N	100	0.29	1.6	1	100	1.4
IRHG58110	MO-036AB	QUAD	N	100	0.29	1.6	1	1000	1.4
IRHQ7214	28-pin LCC	QUAD	N	250	2.25	1.6	1	100	12
IRHQ8214	28-pin LCC	QUAD	N	250	2.25	1.6	1	1000	12

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения