RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 500 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRH7450	TO-204AA	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	100	150
IRH8450	TO-204AA	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	1000	150
IRHM7450	TO-254AA	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	100	150
IRHM8450	TO-254AA	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	1000	150
IRHN7450	SMD-1	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	100	150
IRHN8450	SMD-1	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	1000	150
JANSF2N7270	TO-254AA	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	300	150
JANSF2N7270U	SMD-1	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	300	150
JANSG2N7270	TO-254AA	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	600	150
JANSH2N7270	TO-254AA	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	1000	150
JANSH2N7270U	SMD-1	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	1000	150
JANSR2N7270	TO-254AA	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	100	150
JANSR2N7270U	SMD-1	DISCRETE	N	500	0.45	11	7	100	150

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения