RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 30 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHE57Z30	18-pin LCC	DISCRETE	N	30	0.07	12	8	100	25
IRHE58Z30	18-pin LCC	DISCRETE	N	30	0.07	12	8	1000	25
IRHF57Z30	TO-205AF	DISCRETE	N	30	0.045	12	10	100	25
IRHF58Z30	TO-205AF	DISCRETE	N	30	0.056	12	10	1000	25
IRHM57Z60	TO-254AA	DISCRETE	N	30	0.0095	35	35	100	250
IRHM58Z60	TO-254AA	DISCRETE	N	30	0.010	35	35	1000	250
IRHM7Z60	TO-254AA	DISCRETE	N	30	0.014	35	35	100	250
IRHM8Z60	TO-254AA	DISCRETE	N	30	0.014	35	35	1000	250
IRHNA57Z60	SMD-2	DISCRETE	N	30	0.0035	75	75	100	300
IRHNA58Z60	SMD-2	DISCRETE	N	30	0.0035	75	75	1000	300
IRHNA7Z60	SMD-2	DISCRETE	N	30	0.009	75	75	100	300
IRHNA8Z60	SMD-2	DISCRETE	N	30	0.009	75	75	1000	300
IRHNB7Z60	SMD-3	DISCRETE	N	30	0.009	75	75	100	300
IRHNB8Z60	SMD-3	DISCRETE	N	30	0.009	75	75	1000	300
IRHNJ57Z30	SMD-0.5	DISCRETE	N	30	0.02	22	22	100	75
IRHNJ58Z30	SMD-0.5	DISCRETE	N	30	0.025	22	22	1000	75
IRHY57Z30CM	TO-257AA	DISCRETE	N	30	0.03	18	18	100	75
IRHY58Z30CM	TO-257AA	DISCRETE	N	30	0.035	18	18	1000	75

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения