RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 200 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRH7230	TO-204AA	DISCRETE	N	200	0.4	9	6	100	75
IRH7250	TO-204AE	DISCRETE	N	200	0.11	26	16	100	150
IRH8230	TO-204AA	DISCRETE	N	200	0.4	9	6	1000	75
IRH8250	TO-204AE	DISCRETE	N	200	0.11	26	16	1000	150
IRHE7230	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	100	25
IRHE8230	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	1000	25
IRHF57230	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.22	7.3	4.5	100	25
IRHF58230	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.275	7.3	4.5	1000	25
IRHF7230	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	100	25
IRHF8210	TO-205AF	DISCRETE	N	200	1.5	2	1.3	1000	15
IRHF8230	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	1000	25
IRHM57260	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.044	35	35	100	250
IRHM58260	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.045	35	35	1000	250
IRHM7230	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.4	9	6	100	75
IRHM7250	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	100	150
IRHM7260	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.07	35	25	100	250
IRHM8230	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.4	9	6	1000	75
IRHM8250	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	1000	150
IRHM8260	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.07	35	25	1000	250
IRHMS67260	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.029	45	35	100	208
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHMS68260	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.029	45	35	1000	208
IRHN7230	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.4	9	6	100	75
IRHN7250	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	100	150
IRHN8230	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.4	9	6	1000	75
IRHN8250	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	1000	150
IRHNA57260	SMD-2	DISCRETE	N	200	0.038	55	35	100	300
IRHNA58260	SMD-2	DISCRETE	N	200	0.043	55	35	1000	300
IRHNA67260	SMD-2	DISCRETE	N	200	0.028	63	40	100	250
IRHNA7260	SMD-2	DISCRETE	N	200	0.07	43	27	100	300
IRHNA8260	SMD-2	DISCRETE	N	200	0.07	43	27	1000	300
IRHNB7260	SMD-3	DISCRETE	N	200	0.07	43	27	100	300
IRHNB8260	SMD-3	DISCRETE	N	200	0.07	43	27	1000	300
IRHNJ57230	SMD-0.5	DISCRETE	N	200	.20	13	8.2	100	75
IRHNJ58230	SMD-0.5	DISCRETE	N	200	.20	13	8.2	1000	75
IRHNJ7230	SMD-0.5	DISCRETE	N	200	0.40	9.4	6	100	75
IRHNJ8230	SMD-0.5	DISCRETE	N	200	0.53	9.4	6	1000	75
IRHY57230CM	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.20	12.5	8	100	75
IRHY58230CM	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.25	12.5	8	1000	75
IRHY7230CM	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.4	9.4	6	100	75
IRHY8230CM	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.4	9.4	6	1000	75
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
JANSF2N7262	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	300	25
JANSF2N7262U	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	300	25
JANSF2N7269	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	300	150
JANSF2N7269U	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	300	150
JANSF2N7381	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.4	9.4	6	300	75
JANSF2N7433	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.07	25	35	300	250
JANSF2N7433U	SMD-2	DISCRETE	N	200	0.070	43	27	300	300
JANSG2N7262	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	600	25
JANSG2N7262U	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	600	25
JANSG2N7269	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	600	150
JANSG2N7269U	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	600	150
JANSG2N7381	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.4	9.4	6	600	75
JANSG2N7433	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.07	25	35	600	250
JANSG2N7433U	SMD-2	DISCRETE	N	200	0.070	43	27	600	300
JANSH2N7262	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	1000	25
JANSH2N7262U	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	1000	25
JANSH2N7269	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	1000	150
JANSH2N7269U	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	1000	150
JANSH2N7381	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.4	9.4	6	1000	75
JANSH2N7433	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.07	25	35	1000	250
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
JANSH2N7433U	SMD-2	DISCRETE	N	200	0.070	43	27	1000	300
JANSR2N7262	TO-205AF	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	100	25
JANSR2N7262U	18-pin LCC	DISCRETE	N	200	0.35	5.5	3.5	100	25
JANSR2N7269	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	100	150
JANSR2N7269U	SMD-1	DISCRETE	N	200	0.1	26	16	100	150
JANSR2N7381	TO-257AA	DISCRETE	N	200	0.4	9.4	6	100	75
JANSR2N7433	TO-254AA	DISCRETE	N	200	0.07	25	35	100	250
JANSR2N7433U	SMD-2	DISCRETE	N	200	0.070	43	27	100	300

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения