RadHard силовые n-канальные транзисторы на напряжение 100 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRH7130	TO-204AA	DISCRETE	N	100	0.18	14	9	100	75
IRH7150	TO-204AE	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	100	150
IRH8130	TO-204AA	DISCRETE	N	100	0.18	14	9	1000	75
IRH8150	TO-204AE	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	1000	150
IRHE7110	18-pin LCC	DISCRETE	N	100	0.6	3.5	2.2	100	15
IRHE7130	18-pin LCC	DISCRETE	N	100	0.18	8	5	100	25
IRHE8110	18-pin LCC	DISCRETE	N	100	0.6	3.5	2.2	1000	15
IRHE8130	18-pin LCC	DISCRETE	N	100	0.18	8	5	1000	25
IRHF57130	TO-205AF	DISCRETE	N	100	0.08	11.7	7.4	100	25
IRHF58130	TO-205AF	DISCRETE	N	100	.10	11.7	7.4	1000	25
IRHF7110	TO-205AF	DISCRETE	N	100	0.6	3.5	2.2	100	15
IRHF7130	TO-205AF	DISCRETE	N	100	0.18	8	5	100	25
IRHF8110	TO-205AF	DISCRETE	N	100	0.6	3.5	2.2	1000	15
IRHF8130	TO-205AF	DISCRETE	N	100	0.18	8	5	1000	25
IRHM57160	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.018	35	35	100	250
IRHM58160	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.019	35	35	1000	250
IRHM7130	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.18	14	9	100	75
IRHM7150	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	100	150
IRHM7160	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.045	35	35	100	250
IRHM8130	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.18	14	9	1000	75
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHM8150	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	1000	150
IRHM8160	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.045	35	35	1000	250
IRHMS67160	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.011	45	45	100	208
IRHN7130	SMD-1	DISCRETE	N	100	0.18	14	9	100	75
IRHN7150	SMD-1	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	100	150
IRHN8130	SMD-1	DISCRETE	N	100	0.18	14	9	1000	75
IRHN8150	SMD-1	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	1000	150
IRHNA57160	SMD-2	DISCRETE	N	100	0.012	75	69	100	300
IRHNA58160	SMD-2	DISCRETE	N	100	0.013	75	69	1000	300
IRHNA67160	SMD-2	DISCRETE	N	100	0.010	75	72	100	250
IRHNA7160	SMD-2	DISCRETE	N	100	0.04	51	32.5	100	300
IRHNA8160	SMD-2	DISCRETE	N	100	0.04	51	32.5	1000	300
IRHNB7160	SMD-3	DISCRETE	N	100	0.04	51	32.5	100	300
IRHNB8160	SMD-3	DISCRETE	N	100	0.04	51	32.5	1000	300
IRHNJ57130	SMD-0.5	DISCRETE	N	100	0.075	22	16	100	75
IRHNJ58130	SMD-0.5	DISCRETE	N	100	0.075	22	16	1000	75
IRHNJ7130	SMD-0.5	DISCRETE	N	100	0.18	14.4	9.1	100	75
IRHNJ8130	SMD-0.5	DISCRETE	N	100	0.18	14.4	9.1	1000	75
IRHY58130CM	TO-257AA	DISCRETE	N	100	0.085	18	14	1000	75
IRHY7130CM	TO-257AA	DISCRETE	N	100	0.18	14.4	9.1	100	75
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHY8130CM	TO-257AA	DISCRETE	N	100	0.18	14.4	9.1	1000	75
IRHYB67130CM	TO-257AA	DISCRETE	N	100	0.042	20	19	100	75
IRHYB68130CM	TO-257AA	DISCRETE	N	100	0.042	20	19	1000	75
JANSF2N7261	TO-205AF	DISCRETE	N	100	0.18	8	5	300	25
JANSF2N7268	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	300	150
JANSF2N7268U	SMD-1	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	300	150
JANSF2N7380	TO-257AA	DISCRETE	N	100	0.18	14.4	9.1	300	75
JANSF2N7432	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.045	35	35	600	250
JANSF2N7432U	SMD-2	DISCRETE	N	100	0.040	51	32.5	300	300
JANSG2N7261	TO-205AF	DISCRETE	N	100	0.18	8	5	600	25
JANSG2N7268	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	600	150
JANSG2N7268U	SMD-1	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	600	150
JANSG2N7380	TO-257AA	DISCRETE	N	100	0.18	14.4	9.1	600	75
JANSG2N7432	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.045	35	35	300	250
JANSG2N7432U	SMD-2	DISCRETE	N	100	0.040	51	32.5	600	300
JANSH2N7261	TO-205AF	DISCRETE	N	100	0.18	8	5	1000	25
JANSH2N7261U	18-pin LCC	DISCRETE	N	100	0.18	8.0	5	1000	25
JANSH2N7268	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	1000	150
JANSH2N7268U	SMD-1	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	1000	150
JANSH2N7380	TO-257AA	DISCRETE	N	100	0.18	14.4	9.1	1000	75
Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
JANSH2N7432	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.045	35	35	1000	250
JANSH2N7432U	SMD-2	DISCRETE	N	100	0.04	51	32.5	1000	300
JANSR2N7261	TO-205AF	DISCRETE	N	100	0.18	8	5	100	25
JANSR2N7261U	18-pin LCC	DISCRETE	N	100	0.18	8.0	5	100	25
JANSR2N7268	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	100	150
JANSR2N7268U	SMD-1	DISCRETE	N	100	0.065	34	21	100	150
JANSR2N7380	TO-257AA	DISCRETE	N	100	0.18	14.4	9.1	100	75
JANSR2N7432	TO-254AA	DISCRETE	N	100	0.045	35	35	100	250
JANSR2N7432U	SMD-2	DISCRETE	N	100	0.04	51	32.5	100	300

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения