Повышенной надежности n-канальные Hi-Rel SEE Hard Power MOSFETs на напряжение 600-1000 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHM2C50SE	TO-254AA	DISCRETE	N	600	0.6	10.4	6.5	50	151
IRHM7C50SE	TO-254AA	DISCRETE	N	600	0.6	10.4	6.5	100	151
IRHN2C50SE	SMD-1	DISCRETE	N	600	0.6	10.4	6.5	50	150
IRHN7C50SE	SMD-1	DISCRETE	N	600	0.6	10.4	6.5	100	150

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения