Повышенной надежности n-канальные Hi-Rel SEE Hard Power MOSFETs на напряжение 500 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRH7450SE	TO-204AA	DISCRETE	N	500	0.51	12	7	100	151
IRHF7430SE	TO-205AF	DISCRETE	N	500	1.65	2.6	1.6	100	25
IRHI7460SE	TO-259AA	DISCRETE	N	500	0.32	20	12	100	300
IRHM7450SE	TO-254AA	DISCRETE	N	500	0.51	12	7	100	151
IRHM7460SE	TO-254AA	DISCRETE	N	500	0.32	18	11.7	100	250
IRHN7450SE	SMD-1	DISCRETE	N	500	0.51	12	7	100	151
IRHNA7460SE	SMD-2	DISCRETE	N	500	0.32	20	12	100	300
IRHNB7460SE	SMD-3	DISCRETE	N	500	0.32	20	12	100	300
IRHNJ7430SE	SMD-0.5	DISCRETE	N	500	1.6	4.5	2.8	100	75
JANSR2N7392	TO-254AA	DISCRETE	N	500	0.32	18	11.7	100	250
JANSR2N7466U3	SMD-0.5	DISCRETE	N	500	1.6	4.5	2.8	100	75

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения