Повышенной надежности n-канальные Hi-Rel SEE Hard Power MOSFETs на напряжение 400 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHF7310SE	TO-205AF	DISCRETE	N	400	4.5	1.15	0.7	100	15
IRHF7330SE	TO-205AF	DISCRETE	N	400	1.2	3	1.9	100	25
IRHI7360SE	TO-259AA	DISCRETE	N	400	0.2	24	15	100	300
IRHM7360SE	TO-254AA	DISCRETE	N	400	0.2	22	14	100	250
IRHNA7360SE	SMD-2	DISCRETE	N	400	0.2	24	15	100	300
IRHNB7360SE	SMD-3	DISCRETE	N	400	0.2	24	15	100	300
IRHNJ7330SE	SMD-0.5	DISCRETE	N	400	1.2	5.3	3.4	100	75
JANSR2N7391	TO-254AA	DISCRETE	N	400	0.20	22	14	100	250
JANSR2N7465U3	SMD-0.5	DISCRETE	N	400	1.2	5.3	3.4	100	75

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения