Повышенной надежности n-канальные Hi-Rel SEE Hard Power MOSFETs на напряжение 250 В

Типономинал	Корпус	Схема	Полярность	BVDSS	Rds(on) @ 25°C (pre-Irradiation)	ID @ 25°C	ID @ 100°C	Total Dose	Мощность рассеяния
IRHF57234SE	TO-205AF	DISCRETE	N	250	0.42	5.4	3.4	100	25
IRHM57264SE	TO-254AA	DISCRETE	N	250	0.066	35	26	100	250
IRHM7264SE	TO-254AA	DISCRETE	N	250	0.11	31	19	100	250
IRHNA57264SE	SMD-2	DISCRETE	N	250	0.06	49	31	100	300
IRHNA7264SE	SMD-2	DISCRETE	N	250	0.11	34	21	100	300
IRHNB7264SE	SMD-3	DISCRETE	N	250	0.11	34	21	100	300
IRHNJ57234SE	SMD-0.5	DISCRETE	N	250	0.40	10	6.4	100	75
IRHY57234CMSE	TO-257AA	DISCRETE	N	250	0.41	10	6.4	100	75
JANSR2N7434	TO-254AA	DISCRETE	N	250	0.11	31	19	100	250

BVDSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

Rdson@25°C (pre-Irradiation) (Static Drain-to-Source On-Resistance) -максимальное нормированное сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком до облучения при температуре 25 °C

N-channel и P-channel, соответственно N-канальный и P-канальный

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

Total Dose - кумулятивная доза облучения