Дискретные ультрабыстрые диоды с током 300 А

Типономинал	Корпус	Схема	Vrrm	IF(av)	@ TC	VFM	IR	IRRM	tRR	Rth(JC)	IFSM (60Hz)
15ETH03	TO-220AC	DISCRETE	300	15	144	1.25	40	N/A	40	2.0	140
15ETH03-1	TO-262	DISCRETE	300	15	144	1.25	40	N/A	40	2.0	140
15ETH03S	D2-Pak (UltraFast)	DISCRETE	300	15	144	1.25	40	N/A	40	2.0	140
30CPH03	TO-247AC	CMN CATHDE	300	30	N/A	1.25	40	N/A	40	2.0	140
30EPH03	TO-247 (2 LEAD)	DISCRETE	300	30	N.A	1.25	60	N.A	55	0.9	300
8ETH03	TO-220AC	DISCRETE	300	8	144	1.25	20	N/A	35	2.5	100
8ETH03-1	TO-262	DISCRETE	300	8	144	1.25	20	N/A	35	2.5	100
8ETH03S	D2-Pak (UltraFast)	DISCRETE	300	8	144	1.25	20	N/A	35	2.5	100

Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение

IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток

@TC (Temperature Case) - температура корпуса

VFM (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения

IR (Reverse Current) - обратный ток

IRRM (Peak Reverse Recovery Current) - пиковый обратный ток восстановления

tRR (Reverse Recovery Time) - время обратного восстановления

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус

IFSM (60HZ) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 60 Гц