Дискретные Standard Recovery диоды с током 910-1100 А

Типономинал	Корпус	Схема	Vrrm	IF(av)	@ TC	VFM @ 25°С	IFM comp. (a)	IFSM (50Hz)	IFSM (60Hz)	Rth(JC)
SD1100C25C	B-43 (E-Puk)	DISCRETE	2500	1100	55	1.44	1500	8830	9250	0.038
SD1100C25L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	2500	910	55	1.44	1500	8830	9250	0.05
SD1100C30C	B-43 (E-Puk)	DISCRETE	3000	1100	55	1.44	1500	8830	9250	0.038
SD1100C30L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	3000	910	55	1.44	1500	8830	9250	0.05
SD1100C32C	B-43 (E-Puk)	DISCRETE	3200	1100	55	1.44	1500	8830	9250	0.038
SD1100C32L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	3200	910	55	1.44	1500	8830	9250	0.05
SD800C40L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	4000	1065	55	1.95	2000	10250		0.031
SD800C45L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	4500	1065	55	1.95	2000	10250		0.031

Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение

IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток

@TC (Temperature Case) - температура корпуса

Vfm@25°C (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения при 25 °C

IFSM (50Hz) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 50 Гц

IFSM (60HZ) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 60 Гц

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус