Дискретные Standard Recovery диоды с током 8-10 А

Типономинал	Корпус	Схема	Vrrm	IF(av)	@ TC	VFM @ 25°С	IFM comp. (a)	IFSM (50Hz)	IFSM (60Hz)	Rth(JC)
10ETS08	TO-220AC (2-Pin)	DISCRETE	800	10	105	1.1	10	170	175	2.5
10ETS08FP	TO-220AC Full-Pak (2-Pin)	DISCRETE	800	10	105	1.1	10	170	200	2.5
10ETS08S	D2-Pak	DISCRETE	800	10	105	1.1	10	170	175	2.5
10ETS12	TO-220AC (2-Pin)	DISCRETE	1200	10	105	1.1	10	170	175	2.5
10ETS12FP	TO-220AC Full-Pak (2-Pin)	DISCRETE	1200	10	105	1.1	10	170	200	2.5
10ETS12S	D2-Pak	DISCRETE	1200	10	105	1.1	10	170	175	2.5
10ETS16	TO-220AC (2-Pin)	DISCRETE	1600	10	105	1.1	10	170	175	2.5
10ETS16FP	TO-220AC Full-Pak (2-Pin)	DISCRETE	1600	10	105	1.1	10	170	200	2.5
8EWS08S	D-Pak	DISCRETE	800	8	95	1.1	8	170	175	3
8EWS12S	D-Pak	DISCRETE	1200	8	95	1.1	8	170	175	3
8EWS16S	D-Pak	DISCRETE	1600	8	95	1.1	8	170	175	3

Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение

IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток

@TC (Temperature Case) - температура корпуса

Vfm@25°C (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения при 25 °C

IFSM (50Hz) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 50 Гц

IFSM (60HZ) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 60 Гц

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус