Дискретные Standard Recovery диоды с током 1170-1180 А

Типономинал	Корпус	Схема	Vrrm	IF(av)	@ TC	VFM @ 25°С	IFM comp. (a)	IFSM (50Hz)	IFSM (60Hz)	Rth(JC)
SD1100C04L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	400	1170	55	1.31	1500	10930	11450	0.05
SD1100C08L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	800	1170	55	1.31	1500	10930	11450	0.05
SD1100C12L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	1200	1170	55	1.31	1500	10930	11450	0.05
SD1100C16L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	1600	1170	55	1.31	1500	10930	11450	0.05
SD1100C20L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	2000	1170	55	1.31	1500	10930	11450	0.05
SD800C24L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	2400	1180	55	1.66	2000	11440		0.031
SD800C30L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	3000	1180	55	1.66	2000	11440		0.031
SD800C36L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	3600	1180	55	1.66	2000	11440		0.031

Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение

IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток

@TC (Temperature Case) - температура корпуса

Vfm@25°C (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения при 25 °C

IFSM (50Hz) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 50 Гц

IFSM (60HZ) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 60 Гц

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус