В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Модульные диоды Шоттки
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Модульные диоды Шоттки с напряжением 45 вольт

    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    111CNQ045A D61-8 Общий катод 45 110 152 0.61 54 8 1.50 175
    111CNQ045ASL D61-8-SL Общий катод 45 110 152 0.61 54 8 1.50 175
    111CNQ045ASM D61-8-SM Общий катод 45 110 152 0.61 54 8 1.50 175
    120NQ045 D-67 HALF-Pak DISCRETE 45 120 99 0.57 81 12 10 150
    120NQ045R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 45 120 99 0.57 81 12 10 150
    121NQ045 D-67 HALF-Pak DISCRETE 45 120 133 0.65 81 12 10 175
    121NQ045R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 45 120 133 0.65 81 12 10 175
    150CMQ045 D-60 (изолированный) Общий катод 45 150 71 0.64 101 15 5 150
    151CMQ045 D-60 (изолированный) Общий катод 45 150 104 0.71 101 15 5 175
    160CMQ045 TO-249AA (изолированный) Общий катод 45 160 69 0.64 108 16 5 150
    160CNQ045 TO-249AA Non-изолированный Общий катод 45 160 100 0.76 108 16 5 150
    161CMQ045 TO-249AA (изолированный) Общий катод 45 160 101 0.71 108 16 5 175
    161CNQ045 TO-249AA не изолированный Общий катод 45 160 120 0.79 108 16 45 175
    180NQ045 D-67 HALF-Pak DISCRETE 45 180 90 0.6 243 36 5 150
    180NQ045R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 45 180 90 0.6 243 36 5 150
    181NQ045 D-67 HALF-Pak DISCRETE 45 180 125 0.66 243 36 15 175
    181NQ045R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 45 180 125 0.66 243 36 15 175
    200CNQ045 TO-244AB не изолированный Общий катод 45 200 108 0.54 135 20 10 150
    201CMQ045 TO-244AB изолированный Общий катод 45 200 110 0.71 135 20 90 175
    201CNQ045 TO-244AB не изолированный Общий катод 45 200 138 0.67 135 20 10 175
    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    240NQ045 D-67 HALF-Pak DISCRETE 45 240 96 0.61 324 48 20 150
    240NQ045R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 45 240 96 0.61 324 48 20 150
    241NQ045 D-67 HALF-Pak DISCRETE 45 240 130 0.69 324 48 20 175
    241NQ045R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 45 240 130 0.69 324 48 20 175
    300CNQ045 TO-244AB не изолированный Общий катод 45 300 104 0.77 150 30 15 150
    301CNQ045 TO-244AB не изолированный Общий катод 45 300 120 0.69 202 30 10 175
    400CMQ045 TO-244AB изолированный Общий катод 45 400 78 0.57 180 40 20 150
    400CNQ045 TO-244AB не изолированный Общий катод 45 400 105 0.57 180 40 20 150
    400DMQ045 TO-244AB изолированный DOUBLER 45 400 60 0.62 180 40 800 150
    401CMQ045 TO-244AB изолированный Общий катод 45 400 120 0.68 270 40 180 175
    401CNQ045 TO-244AB не изолированный Общий катод 45 400 138 0.67 270 40 20 175
    Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
    IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
    EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии
    IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток
    IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С
    TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода