В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Модульные диоды Шоттки
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Модульные диоды Шоттки с напряжением 135-150 вольт

    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC Vfm EAS IAR IRM @ VRWM
    25C (mA)
    TJ
    129NQ135 D-67 HALF-Pak DISCRETE 135 120 117 0.74 15 1 3 175
    129NQ135R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 135 120 117 0.74 15 1 3 175
    129NQ150 D-67 HALF-Pak DISCRETE 150 120 117 0.74 15 1 3 175
    129NQ150R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 150 120 117 0.74 15 1 3 175
    189NQ135 D-67 HALF-Pak DISCRETE 135 180 110 0.74 15 1 4.5 175
    189NQ150 D-67 HALF-Pak DISCRETE 150 180 134 0.74 290 1 65 175
    189NQ150R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 150 180 134 0.74 290 1 65 175
    209CNQ135 TO-244AB не изолированный Общий катод 135 200 118 0.71 15 1 3 175
    249NQ135 D-67 HALF-Pak DISCRETE 135 240 117 0.74 15 1 6 175
    249NQ150 D-67 HALF-Pak DISCRETE 150 240 139 0.74 290 1 85 175
    249NQ150R D-67 HALF-Pak DISCR. (R) 150 240 139 0.74 290 1 85 175
    409CNQ135 TO-244AB не изолированный Общий катод 135 400 125 0.72 15 1 6 175
    409DMQ135 TO-244AB изолированный DOUBLER 135 400 80 0.71 15 1 6 175
    409DMQ150 TO-244AB изолированный DOUBLER 150 400 80 0.71 15 1 6 175
    Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
    IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
    EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии
    IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток
    IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С
    TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода