Дискретные диоды Шоттки с напряжением 20 вольт

Типономинал	Корпус	Схема	Vrrm	IF(av)	@ TC	Vfm	EAS	IAR	IRM @ VRWM 25C (mA)	TJ
1N5817	DO-204AL	DISCRETE	20	1.0	138	0.45			1.0	150
1N5820	C-16	DISCRETE	20	3.0	114	0.47			2.0	150
47CTQ020	TO-220AB	Общий катод	20	40		0.45	18	3	3	150
47CTQ020-1	TO-262	Общий катод	20	40	135	0.45	18	3	3	150
47CTQ020S	D2-Pak	Общий катод	20	40	121	0.45	18	3	3	150
80CPQ020	TO-247AC	Общий катод	20	80	138	0.46	27	6	5.5	150
87CNQ020A	D61-8	Общий катод	20	80	135	0.32	36	8	5.5	150
87CNQ020ASL	D61-8-SL	Общий катод	20	80	135	0.32	36	8	5.5	150
87CNQ020ASM	D61-8-SM	Общий катод	20	80	135	0.32	36	8	5.5	150
MBR0520	SOD-123	DISCRETE	20	0.5	129	0.37			0.04	150
MBRA120	SMA	DISCRETE	20	1.0	136	0.45	3.0	0.8	0.2	150
MBRD320	D-Pak	DISCRETE	20	3.0	133	0.6	8	1.0	0.2	150
MBRS120	SMB	DISCRETE	20	1.0	138	0.45	5	0.8	0.2	150
MBRS320	SMC	DISCRETE	20	3.0	136	0.45	6.0	1.0	0.5	150

Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение

IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток

@TC (Temperature Case) - температура корпуса

Vfm (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения

EAS (Non-Repetitive Avalanche Energy) - допустимый неповторяющийся выброс энергии

IAR (Repetitive Avalanche Current) - повторяющийся лавинный ток

IRM@VRWM 25C (Maximum Reverse Leakage Current @ Working Peak Reverse Voltage) - максимальный обратный ток утечки при заданном рабочем пиковом обратном напряжении и температуре перехода Tj=25 °С

TJ (Junction Temperature) - температура p-n перехода