Высокомощные быстровосстанавливающиеся дискретные диоды с напряжением 2800-3200 вольт

Типономинал	Корпус	Схема	Vrrm	IF(av)	@ TC	IFSM (50Hz)	IFSM (60Hz)	Vfm	Rth(JC)	TRR
SD1053C28S30L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	2800	920	55	10930	11450	2.26	0.031	3000
SD1053C30S30L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	3000	920	55	10930	11450	2.26	0.031	3000
SD1553C28S30K	DO-200AC (K-Puk)	DISCRETE	2800	1650	55	18500	19370	2.9	0.02	3000
SD1553C30S30K	DO-200AC (K-Puk)	DISCRETE	3000	1650	55	18500	19370	2.9	0.02	3000
SD233N30S50PC	B-8	DISCRETE	3000	235	60	4630	4840	3.2	0.1	5000
SD263C30S50L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	3000	375	55	4630	4850	3.2	0.05	5000
SD553C30S50L	DO-200AB (B-Puk)	DISCRETE	3000	560	55	10100	10570	3.24	0.031	5000
SD853C30S50K	DO-200AC (K-Puk)	DISCRETE	3000	990	55	16000	16750	2.9	0.02	5000

Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение

IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток

@TC (Temperature Case) - температура корпуса

IFSM (50Hz) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 50 Гц

IFSM (60HZ) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 60 Гц

VFM (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус

tRR (Reverse Recovery Time) - время обратного восстановления