В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Диоды
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Высокомощные быстровосстанавливающиеся дискретные диоды с напряжением 1000 вольт

    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC IFSM (50Hz) IFSM (60Hz) Vfm Rth(JC) TRR
    10ETF10 TO-220AC DISCRETE 1000 10 125 160 185 1.33 1.5 310
    10ETF10FP TO-220 FullPak DISCRETE 1000 10 95   160 1.33 2.5 80
    10ETF10S D2-Pak DISCRETE 1000 10 125   160 1.33 1.5 80
    12FL100S05 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 1000 12 100 145 150 1.4 2 500
    16FL100S05 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 1000 16 100 180 190 1.4 1.6 500
    20ETF10 TO-220AC DISCRETE 1000 20 97 300 355 1.31 1.5 400
    20ETF10S D2-Pak DISCRETE 1000 20 97 300 355 1.31 1.5 400
    251UL100S10 DO-205AB (DO-9) DISCRETE 1000 250 70 3350 3500 1.78 0.15 1000
    30CPF10 TO-247AC DISCRETE 1000 30 95 300 350 1.41 0.8 450
    30EPF10 TO-247AC (2-Pin) DISCRETE 1000 30 95 300 350 1.41 0.8 450
    40EPF10 TO-247AC (2-Pin) DISCRETE 1000 40 105 400 475 1.25 0.6 410
    40HFL100S05 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 1000 40 75 400 420 1.95 0.6 500
    60CPF10 TO-247AC DISCRETE 1000 60 103 700 830 1.4 0.4 480
    60EPF10 TO-247AC (2-Pin) DISCRETE 1000 60 103 700 830 1.4 0.4 480
    6FL100S05 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 1000 6 100 110 115 1.4 2.5 500
    70HFL100S05 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 1000 70 75 700 730 1.85 0.36 500
    80EPF10 TO-247AC DISCRETE 1000 80 92 1100 1250 1.35 0.35 480
    85HFL100S05 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 1000 85 75 1100 1150 1.75 0.36 500
    8EWF10S D-Pak DISCRETE 1000 8 96 170 200 1.2 2.5 80
    SD103N10S10PV DO-205AC (DO-30) DISCRETE 1000 110 85 3000 3140 2.23 0.16 1000
    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC IFSM (50Hz) IFSM (60Hz) Vfm Rth(JC) TRR
    SD303C10S10C DO-200AA (A-Puk) DISCRETE 1000 350 55 4850 5080 2.26 0.08 1000
    SD403C10S10C DO-200AA (A-Puk) DISCRETE 1000 430 55 5200 5445 1.83 0.08 1000
    SD603C10S10C B-43 (E-Puk) DISCRETE 1000 600 55 7000 7330 2.97 0.038 1000
    SD803C10S10C B-43 (E-Puk) DISCRETE 1000 845 55 9500 9945 1.89 0.038 1000
    Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
    IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    IFSM (50Hz) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 50 Гц
    IFSM (60HZ) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 60 Гц
    VFM (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
    Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    tRR (Reverse Recovery Time) - время обратного восстановления