В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
    •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации




    Главная страница > Компоненты > International Rectifier > Диоды
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Высокомощные быстровосстанавливающиеся дискретные диоды с напряжением 100 вольт

    Типономинал Корпус Схема Vrrm IF(av) @ TC IFSM (50Hz) IFSM (60Hz) Vfm Rth(JC) TRR
    12FL10S02 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 100 12 100 145 150 1.4 2 200
    12FL10S05 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 100 12 100 145 150 1.4 2 500
    16FL10S02 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 100 16 100 180 190 1.4 1.6 200
    16FL10S05 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 100 16 100 180 190 1.4 1.6 500
    1N3880 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 100 6 100 72 75 1.4 2.5 300
    1N3890 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 100 12 100 145 150 1.4 2 300
    30HFU-100 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 100 30 91 400 420 1.45 0.6 60
    40HFL10S02 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 100 40 75 400 420 1.95 0.6 200
    40HFL10S05 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 100 40 75 400 420 1.95 0.6 500
    60HFU-100 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 100 60 82 700 730 1.5 0.36 60
    6FL10S02 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 100 6 100 110 115 1.4 2.5 200
    6FL10S05 DO-203AA (DO-4) DISCRETE 100 6 100 110 115 1.4 2.5 500
    70HFL10S02 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 100 70 75 700 730 1.85 0.36 200
    70HFL10S05 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 100 70 75 700 730 1.85 0.36 500
    85HFL10S02 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 100 85 75 1100 1150 1.75 0.3 200
    85HFL10S05 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 100 85 75 1100 1150 1.75 0.3 500
    IRD3900 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 100 20 100 240 250 1.65 0.6 350
    IRD3910 DO-203AB (DO-5) DISCRETE 100 30 100 285 300 1.8 0.46 350
    Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение
    IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток
    @TC (Temperature Case) - температура корпуса
    IFSM (50Hz) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 50 Гц
    IFSM (60HZ) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 60 Гц
    VFM (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения
    Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    tRR (Reverse Recovery Time) - время обратного восстановления