Дискретные диоды HEXFRED с током 1200 А

Типономинал	Корпус	Схема	Vrrm	IF(av)	@ TC	VFM	IR	IRRM	tRR	Rth(JC)	IFSM (60Hz)
HFA06PB120	TO-247 (2 LEAD)	DISCRETE	1200	6	100	3	5	4.4	26	2
HFA06TB120	TO-220AC	DISCRETE	1200	6	100	3	5	4.4	26	2
HFA06TB120S	D2-Pak (HEXFRED)	DISCRETE	1200	6	100	3	5	4.4	26	2
HFA08PB120	TO-247 (2 LEAD)	DISCRETE	1200	8	91	3	10	4.5	28	1.7
HFA08TB120	TO-220AC	DISCRETE	1200	8	91	3	10	4.5	28	1.7
HFA08TB120S	D2-Pak (HEXFRED)	DISCRETE	1200	8	91	3	10	4.5	28	1.7
HFA16PB120	TO-247 (2 LEAD)	DISCRETE	1200	16	98	3	20	5.8	30	0.83
HFA16TB120	TO-220AC	DISCRETE	1200	16	98	3	20	5.8	30	0.83
HFA16TB120S	D2-Pak (HEXFRED)	DISCRETE	1200	16	98	3	20	5.8	30	0.83
HFA30PB120	TO-247 (2 LEAD)	DISCRETE	1200	30	84	3	40	8.1	37	0.55
HFA80FA120	SOT-227	DISCRETE	1200	80	60	3	2	5.9	25	0.35	400

Vrrm (Maximum Repetitive Reverse Voltage) - максимальное постоянное обратное напряжение

IF(av) (Average Forward Current) - средний прямой ток

@TC (Temperature Case) - температура корпуса

VFM (Maximum Forward Voltage Drop) - максимальное прямое падение напряжения

IR (Reverse Current) - обратный ток

IRRM (Peak Reverse Recovery Current) - пиковый обратный ток восстановления

tRR (Reverse Recovery Time) - время обратного восстановления

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус

IFSM (60HZ) (Maximum Peak, One-Cycle Forward, Non-repetitive Surge Current) - максимальный прямой пиковый неповторяющийся ток перегрузки в одном цикле при 60 Гц