IR2181, IR21814
Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней
Отличительные особенности:
- Управляющие каналы разработаны для нагруженного функционирования
полностью работоспособны до +600В
- Нечувствителен к отрицательным напряжениям при переходных процессах
- Стойкость к скорости нарастания напряжения (dV/dt)
- Диапазон напряжения питания драйверов 10…20В
- Блокировка при снижении напряжения
- 5В входная логика с триггерами Шмита
- Согласованная задержка распространения для обоих каналов
- Смещение логики и общего питания ±5В
- Уменьшено di/dt для лучшей нечувствительности к шумам
- Выходы драйвера в фазе со входами
- Выход драйвера нижнего уровня в противофазе со входом (LIN)
- Краткая характеристика:
- Напряжение смещения VOFFSET не более 600В
- Имп.вых. ток к.з Iо± 1.7 А/ 1.7 А
- Выходное напряжение драйверов VOUT 10 – 20В
- Время вкл./выкл. 180 нс
- Согласованная задержка 50 нс
Типовая схема включения:
Блок-схема:
Расположение выводов:
Описание выводов:
| HIN |
Логический вход управления выходом драйвера верхнего уровня (HO), в фазе |
| LIN |
Логический вход управления выходом драйвера нижнего уровня (LO), в фазе |
| VSS |
Общий логики |
| VB |
Напряжение питания ключей верхнего уровня |
| HO |
Выход драйвера верхнего уровня |
| VS |
Возврат питания верхнего уровня |
| VCC |
Питание драйверов нижнего уровня и логики |
| LO |
Выход драйвера нижнего уровня |
| COM |
Возврат питания нижнего уровня |
Описание:
IR2181/IR21814 – драйверы высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с независимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней. Собственная HVIC-технология и стойкая к защелкиванию КМОП-технология позволили создать монолитную конструкцию.
Логический вход совместим с стандартными КМОП или LSTTL выходом. Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера. Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 600В.
Документация:
| |
 |
175 Kb Engl Описание микросхемы |
|
