Дискретные IGBT с напряжением 250 - 430 вольт

Типономинал	Корпус	Схема	Скорость переключения	Vces [B]	Vce(on)[B]	Ic@25C[A]	Ic@100C [A]	PD
IRG4P254S	TO-247AC	DISCRETE	DC-1 kHz (STANDARD)	250	1.50	98	55	200
IRGB14C40L	TO-220AB	DISCRETE	Low-Vceon	430	1.40	20	14	125
IRGS14C40L	D2-Pak	DISCRETE	Low-Vceon	430	1.40	20	14	125
IRGSL14C40L	TO-262	DISCRETE	Low-Vceon	430	1.40	20	14	125

Vces (Maximum IGBT Breakdown Voltage) - максимальное напряжение пробоя IGBT

Vce(on) (Collector-to-Emitter Saturation Voltage) - напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Ic (Continuous Collector Current) - продолжительный ток коллектора

PD (Power Dissipation) - рассеиваемая мощность