HY27(U/S)F(08/16)1G1M
1024 Мбитная NAND Flash память
Характеристики:
- NAND FLASH память большого объема
- Эффективное по стоимости решение для приложений хранения больших массивов данных
- NAND интерфейс
- Ширина шины x8 или x16
- Мультиплексирование шины адреса/данных
- Совместимость по выводам с микросхемами памяти различного объема
- Напряжение питания
- 3.3 В приборы: VCC = от 2.7 до 3.6 В: HY27UAXX1G1M
- 1.8 В приборы: VCC = от 1.7 до 1.95 В: HY27SAXX1G1M
- Блочная организация памяти
- 1056 Мбит = 528 байт x 32 страницы x 8 192 блоков
- Размер страницы
- x8 приборы: (512 + 16 резервных) байт: HY27(U/S)A081G1M
- x16 приборы: (256 + 8 резервных) слов: HY27(U/S)A161G1M
- Размер блока
- x8 приборы: (16 КБ + 512 резервных) байт
- x16 приборы: (8 КБ + 256 резервных) слов
- Постраничное чтение/запись
- Произвольный доступ: 12 мкс (макс)
- Последовательная выборка: 50 нс (мин)
- Время записи страницы: 200 мкс (тип)
- Режим обратного копирования
- Высокоскоростное копирование без внешней буферизации
- Кэширование при записи
- Внутренний кэш-регистр для повышения пропускной способности при записи
- Быстрое стирание блоков
- Время стирания блока: 2 мс (тип)
- Регистр состояния
- Электронная подпись
- Опция игнорирования сигнала активизации микросхемы
- Простой интерфейс с микроконтроллером
- После включения автоматическая установка для чтения нулевой страницы
- Поддержка загрузки из NAND памяти
- Автоматическая загрузка памяти
- Опция заводского номера
- Аппаратная защита данных
- Блокировка записи/стирания при изменении напряжения питания
- Целостность данных
- 100 000 циклов записи/стирания
- Хранение данных более 10 лет
- Корпусное исполнение
- HY27(U/S) A (08/16) 1G1M-T (P): 48 контактный 12x20x1.2 мм TSOP1
- HY27(U/S) A (08/16) 1G1M-T (с выводами)
- HY27(U/S) A (08/16) 1G1M-ТР (без выводов)
- HY27(U/S) A 081G1M-V (P): 48 контактный 12 x 17 x 0.7 мм WSOP1
- HY27(U/S) A 081G1M-V (с выводами)
- HY27(U/S) A 081G1M-VP (без выводов)
- HY27 (U/S) A (08/16) 1G1M-F (P): 63 контактный 8.5x15x1.0 мм FBGA
- HY27(U/S) A (08/16) 1G1M-F (с выводами)
- HY27(U/S) A (08/16) 1G1M-FP (без выводов)
Блок- схема:
Общее описание:
HY27(U/S)SXX1G1M - семейство энергонезависимой Flash памяти, построенной по NAND технологии. Приборы работают от 3.3 и 1.8 В питания. В зависимости от ширины шины (x8 или x16), приборы имеют размер страницы 528 байт (512 + 16 резервных) или 264 слова (256 + 8 резервных).
Шина адреса мультиплексируется с линиями ввода/вывода данных на x8 или x16 разрядную шину. Такой интерфейс позволяет уменьшить количество используемых выводов и обеспечить совместимость по выводам микросхем с различным объемом памяти.
Каждый блок может записываться и стираться более 100 000 раз. Для повышения срока службы NAND Flash памяти рекомендуется использовать код коррекции ошибок (ЕСС). Микросхемы имеют вывод аппаратной защиты от записи/стирания.
Приборы имеют выход с открытым стоком сигнала занятости Ready/Busy, который может использоваться для определения состояния контроллера записи/стирания/чтения (PER). Выход с открытым стоком позволяет подключать выходы индикации занятости от нескольких микросхем при помощи одного подтягивающего резистора к одному выводу микроконтроллера.
Для оптимизации обслуживания дефектных блоков имеется команда Copy Back. Если операция записи страницы не прошла, то можно записать данные в другую страницу без дополнительной пересылки данных.
Все микросхемы имеют встроенную кэш-память, которая позволяет повысить скорость записи больших объемов данных. Данные можно загружать в кэш-память уже тогда, когда предыдущие данные еще находятся в буфере страницы и записываются непосредственно в память.
Приборы доступны в следующих корпусах:
- 48-TSOP1 (12 x 20 x 1.2 мм)
- 48-WSOP1 (12 x 17 x 0.7 мм)
- 63-FBGA (8.5 x 15 x 1.0 мм, 6 x 8 шариковых контактов с шагом 0.8 мм)
У микросхем семейства NAND Flash памяти имеется три опции:
- Automatic Page 0 Read after Power-up -Автоматическая установка для чтения нулевой страницы, что позволяет микроконтроллеру принимать загрузочный код с нулевой страницы.
- Chip Enable Dont Care - Опция игнорирования сигнала выбора чипа, которая позволяет микроконтроллеру непосредственно загружать код, так как изменение состояния вывода выбора чипа в течение времени ожидания не прервет операцию считывания.
- Serial Number - Опция заводского номера, которая позволяет идентифицировать приборы. Опция серийного номера является опцией не для всеобщего использования (NDA) и поэтому в данном техническом описании не раскрывается. Для получения информации необходимо заключить договор о неразглашении с ближайшим офисом компании HYNIX.
Документация:
| |
 |
926Kb Engl Описание микросхемы |
| 
