В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Alliance Semicon
  • Altera
  • Amic
  • Analog Devices
  • Atmel
  • Austriamicrosystems
  • Avago
  • Cypress
  • Cree
  • Exar
  • Fairchild
  • Freescale
  • Fujitsu
  • Hynix
  • Holtek
  • IMP
  • Infineon
  • Inova
  • IR
  • Linear Technology
  • MagnaChip
  • Maxim
  • Megawin
  • Microchip
  • Миландр
  • National Semicon
  • Nuvoton
  • NXP Semicon.
  • Power Integrations
  • Radiocrafts
  • Ramtron
  • Rayson
  • ROHM
  • Semikron
  • Silicon Lab
  • Sirenza
  • STMicro
  • SonyEricsson
  • Telecontrolli
  • Telit
  • TechFaith Wireless
  • Texas Insrt
  • TranSystem Inc.
  • Trimble
  • Xilinx
  • White Eleсtronic
  • WAVECOM
  • Wonde Proud Tech.
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Компоненты > Atmel
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    TS86101G2B

    10-разр. ЦАП на 1,2 ГГц со встроенным мультиплексором 4:1

    Отличительные особенности:

    • 10-разр. разрешение
    • Гарантированная частота преобразования 1,2ГГц, типичная частота 1.4 ГГц
    • Встроенный параллельный мультиплексор 4:1
    • Дифференциальные входы данных и синхронизации PECL/LVDS
    • Программируемая синхронизация DSP
    • Размах выходного аналогового дифференциального сигнала 2 Vpp
    • Выходное сопротивление: 50 Ом (несимметричный выход), 100 Ом (дифференциальный выход)
    • Сброс при подаче питания для упрощения синхронизации нескольких ЦАП
    • Двойное питание: ±5В
    • Корпус CBGA 255 для версий “C” и “V”
    • Оценочная плата TSEV86101G2BGL
    • Температурный диапазон:
          – Версия «C»: 0°C < Tc; Tj < 90°C
          – Версия «V»: -40°C < Tc, Tj < 110°C

    Характеристики

    • Частотный диапазон
          – NPR: 49 дБ при Fпреобр = 1.2 ГГц: 9.5 разр. (частотный диапазон 20 МГц…580 МГц, центр. область 25 МГц вокруг 250 МГц)
    • Однотональность
          – SFDR полоса модулирующих частот:       69 dBFS при Fпреобр = 1.2 ГГц и Fвых = 25 МГц       69 dBFS при Fпреобр = 1.2 ГГц и Fвых = 575 МГц
          – SFDR в третьей зоне Найквиста: 63 dBFS при Fпреобр = 1.2 ГГц и Fвых = 1650 МГц с Fвых = Fпреобрз + 450 МГц (зеркальная частота)
    • Многотональность
          – 8-ми тональный IMD: 70 dBFS при Fпреобр = 1.2 ГГц и модулирующей полосе частот 500 МГц
    • Общая рассеиваемая мощность = 3.6 Вт

    Области применения

    • Непосредственный цифровой синтез (DDS) для высокочастотных приложений
    • Автоматическое испытательное оборудование (ATE)
    • Контрольно-измерительные приборы: генератор сигналов произвольной формы

    Общее описание:

    TS86101G2B – 10-разр. ЦАП с частотой преобразования 1,2ГГц и встроенным мультиплексором 4:1, который легко подключается к ИС в стандартных корпусах FPGA. Улучшенная линейность и более высокая нечувствительность к шумам источника питания, а также частотная полоса 550 МГц делают данное изделие наиболее подходящим для применения в высококачественном оборудовании, например, генераторы сигналов произвольной формы и системы непосредственного цифрового синтеза.

    Документация:

      39 Kb Engl краткая информация о микросхеме
      2131 Kb Engl TSEV86101G2B User Guide