A29DL16x

Серия КМОП флэш-памяти размером 16 Мбит (2M x 8-бит/1M x 16 бит) с питанием только 3,0В и одновременностью чтения/записи

Отличительные особенности:

Преимущества архитектуры:

• Одновременность чтения/записи

  - Данные могут непрерывно считываться из одного банка, а в это время в другом банке может выполняться стирание или программирование

  - Нулевая задержка между чтением и записью

• Архитектура с разделением памяти на банки

  - Три представителя серии доступны с различными размерами банков (см. таблицу 2)

• Корпуса

  - 48-выводной TFBGA

  - 48-выводной TSOP

• Загрузочный блок в начале или в конце памяти
• Выпускается по технологии 0,18 мкм

  - Совместимость с микросхемами A29DL16xC/ A29DL16xD

• Совместимость со стандартами JEDEC

  - Совместимость по расположению выводов и программированию со стандартной флэш-памятью, питаемой от одного источника

Рабочие характеристики:

• Высокие рабочие характеристики

  - Время доступа 70 нс

  - Время программирования: 7 мкс/слово с помощью функции ускорения

• Сверхмалое потребление (ниже приведены типичные значения)

  - 2 мА

  - ток активного чтения на частоте 1МГц

  - 10 мА

  - ток активного чтения на частоте 5 МГц

  - 200 нА в дежурном режиме или в режиме автоматического выключения

• Гарантируется минимум 1 миллион циклов перезаписи для каждого сектора
• Сохранность данных в течение 20 лет при температуре 125°C

  - надежность работы в течение всего срока службы системы

Отличительные особенности программного обеспечения:

• Поддержка интерфейса флэш-памяти CFI
• Приостановка стирания/возобновление стирания

  - Приостановка операции стирания, чтобы разрешить программирование в том же банке

• Программная команда временного снятия защиты с сектора/блока сектора
• Команда программной защиты или снятия защиты сектора
• Опрос данных и инвертирующиеся биты

  - Представляет собой программный способ определения состояния циклов программирования или стирания

• Команда программирования с сокращенным количеством шинных циклов "Unlock Bypass"

  - Снижает общее время программирования за счет ввода нескольких команд программирования

Отличительные особенности аппаратной части:

• Стирание любого сочетания секторов
• Выход готовность/занято (RY/BY)

  - Аппаратный метод определения завершения цикла стирания или программирования

• Вывод аппаратного сброса (RESET)

  - Аппаратный метод сброса внутреннего цифрового автомата для считывания массива данных

• Вход WP /ACC (защита от записи/ускорение)

  - Функция защиты от записи (WP) позволяет защитить два самых крайних сектора, независимо от состояния защиты сектора

  - Функция ускорения (ACC) позволяет повысить быстродействие программирования

• Защита сектора

  - Аппаратный метод защиты сектора, который реализуется внутрисистемно или с помощью оборудования для программирования, для предотвращения программирования или стирания в пределах данного сектора

  - Временное снятие защиты сектора позволяет изменить данные в защищенном секторе внутрисистемно

Структурная схема:

Условное графическое обозначение:

Расположение выводов:

Общее описание:

Семейство A29DL16x составляют микросхемы флэш-памяти емкостью 16 Мбит, организацией памяти 1,048,576 слов по 16 бит в каждом или 2,097,152 байт по 8 бит в каждом. В словном режиме данные присутствуют на выводах I/O0-I/O15, а в байтном режиме - на I/O0-I/O7. Память рассчитана на внутрисистемное программирование при питании стандартным напряжением VCC=3В, а также может программироваться с помощью стандартного программатора ЭППЗУ.

Доступны микросхемы с временами доступа 70, 90 или 120 нс. Они выпускаются 48-выводных корпусах TSOP и в корпусах BGA с 48 сферическими выводами. Управление записью и чтением осуществляется с помощью стандартных сигналов управления: CE - выбор микросхемы, WE- разрешение записи и OE - разрешение вывода (чтение).

Для работы флэш-памяти достаточно одного питания 3,0В, как для чтения, так и для записи. Необходимое повышенное напряжение для программирования и стирания генерируется внутренне.

Одновременность чтения/записи с нулевой задержкой

Одновременность чтения и записи достигается за счет разделения памяти на два банка. Общие системные рабочие характеристики могут быть улучшены за счет возможности программирования или стирания в одном банке и сразу после инициации этого одновременного считывания из другого банка с нулевой задержкой. Этим система освобождается от необходимости ожидания завершения программирования или стирания.

Микросхемы A29DL16x используют архитектуру с несколькими размерами банков, чем достигается гибкость для проектирования приложений. В состав данной серии входят три микросхемы со следующими размерами банков памяти:

Микросхемы поддерживают стандартный набор команд JEDEC для флэш-памяти с одним питанием. Команды помещаются в командный регистр с помощью стандартной временной последовательности записи микроконтроллера. Считывание данных выполняется подобно считыванию из других микросхем флэш-памяти и ЭППЗУ.

Процессорное устройство может определить завершение программирования или стирания с помощью бит статуса: вывод RY/BY, I/O7 (опрос данных) и I/O6/I/O2 (переключающиеся биты). По завершении цикла программирования или стирания микросхемы автоматически возвращается к считыванию массива данных.

Архитектура посекторного стирания позволяет стереть или перепрограммировать секторы памяти без повреждения содержимого других секторов. Завод-изготовитель поставляет микросхему в стертом состоянии.

Функция аппаратной защиты данных выполняет детекцию снижения VCC и автоматически прерывает запись в переходных режимах питания. Аппаратная защита сектора позволяет заблокировать программирование и/или стирание в любом сочетании секторов памяти. Это выполняется либо внутрисистемно, либо с помощью программатора.

Микросхемы поддерживают две энергосберегающие функции. После того, как в установленное время адрес стабилизируется, микросхема переходит в автоматический режим отключения. Система может также перевести микросхему в дежурный режим. В обоих данных режимах потребление снижается существенно.

Описание выводов:

Информация для заказа:

Документация:

740 Kb Engl Описание микросхем