В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Задание параметров и выбор MOSFET, IGBT и SKiiPPACK модулей

    При выборе силовых модулей для любой длительной или мгновенной (перегрузки) работы, для конкретного устройства, необходимо рассматривать

    • напряжения,
    • способность проводить ток при соответствующих условиях охлаждения и частоте коммутации;
    • область безопасной работы (SOA).

    При нормальных статических и динамических условиях работы не должны превышаться максимальные значения запирающего напряжения (включая стойкие к пробоям MOSFET), импульсного тока, температуры перехода и области безопасной работы (см.п. 2.7), приведенные в справочных данных. То же самое относится и к предельным значениям параметров корпуса модуля (например, напряжение изоляции, вибрации, климатические условия, способы крепления).

    Для высокой надежности и большого срока службы, модули разработаны для определенного числа циклов коммутаций, которые обычно соответствуют определенному количеству температурных циклов. (п. 1.4.2.4 и 3.2.3).

    В дальнейшем, «серьезное» задание не предполагает полное температурное использование полупроводников до максимальных значений Tj(max) (например 150°С) для обеспечения запаса в теоретически непредвиденных случаях, и для небольшого отступа статических и динамических характеристик, взятых при максимальной температуре 125°С, и гарантированных производителями.

    Как было рассмотрено в п. 2.6, наиболее важные характеристики силовых модулей будут ухудшаться с ростом температуры. По этой и другим причинам, определению максимальной рабочей температуры также будет уделено особое внимание.



    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->