В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Специальные параметры для MiniSKiiP

    Кроме IGBT и диодов для инверторов и диодных ключей (или тиристоров) для входных выпрямителей, эти устройства также интегрированы в MiniSKiiP. Дополнительно к прямым и обратным характеристикам (максимальные значения, характеристики), следующие параметры определены для MiniSKiiP:

    Выброс тока выпрямительных диодов IFSM

    Импульсное значение синусоиды 50 Гц, которую способны выдержать диоды без пробоя, если это происходит не так часто.

    Интеграл выброса тока выпрямительных диодов на нагрузке i2dt

    Номинальное значение для выбранных предохранителей, которое можно вычислить как:

    i2dt IFSM 2 · T/4 = 5 · 10-3s · IFSM 2 (@ f = 50 Гц)

    Коэффициент сопротивления/температуры датчика температуры

    Особенности датчиков тока



    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->