Буквенные обозначения, термины, стандарты
Буквенные обозначения и термины [264], [265]
Напряжение: первые две буквы индекса используются для обозначения выводов, между которыми бралось напряжение. Если потенциал обозначенного первой буквой вывода положительный по сравнению с потенциалом обозначенного второй буквой индекса (относительный потенциал), приложенное напряжение положительно, например VCE.
Для диодов "F" обозначает прямое напряжение (положительный потенциал анода по сравнению с потенциалом катода) и "R" - обратное запирающее напряжение (положительный потенциал катода по сравнению с потенциалом анода).
У транзисторов дополнительная третья буква индекса может показывать тип цепи между выводом 2 и необозначенным третьим выводом, например VCGR, где третья буква определяет:
- S: короткое замыкание выводов 2 и 3,
- R: заданный резистор между выводами 2 и 3,
- V: заданное напряжение между выводами 2 и 3,
- X: заданные резистор и напряжение между выводами 2 и 3.
Буквы индекса могут предшествовать или следовать за другими аббревиатурами параметров, с или без скобок, прописными или строчными буквами (например, V(BR)DS, или V(GE)th, или V(CE)sat), например:
- (BR): напряжение пробоя,
- sat: напряжение насыщения,
- (th): пороговое напряжение,
- clamp: фиксированное напряжение, ограниченное внешними цепями.
Питающие напряжения часто обозначаются двумя буквами индекса, например VGG (напряжение питания цепи затвор-эмиттер), VCC, VDD.
Токи: по крайней мере, одна буква индекса используется для обозначения тока.
Положительные значения определяют положительные токи, которые поступают на вывод компонента и обозначаются первой буквой индекса, например IGE. Если нет возможности перепутать, обычно используется первая буква индекса, например IC (ток коллектора), ID, IG.
Так же обозначаются и отрицательные токи.
Для диодов "F" обозначает прямые токи (анод-катод) и "R" - обратные токи (катод-анод).
Для транзисторов дополнительная третья буква индекса может показывать тип цепи между выводом 2 и необозначенным третьим выводом, например IGES, где третья буква определяет:
- S: короткое замыкание выводов 2 и 3,
- R: заданный резистор между выводами 2 и 3,
- V: заданное напряжение между выводами 2 и 3,
- X: заданные резистор и напряжение между выводами 2 и 3.
Буквы индекса могут предшествовать или следовать за другими аббревиатурами, с или без скобок, прописными или строчными буквами, например:
- AV: среднее значение,
- RMS: эффективное значение (среднеквадратическое),
- M: импульсное (максимальное),
- R: периодическое,
- S: непериодическое (выброс)
- puls: импульсное (прямой ток).
Другие символы: терминология, используемая для других символьных обозначений электрических, температурных и механических параметров, следует непосредственно за терминологией напряжений и токов; для дальнейших пояснений см. нижеследующую таблицу. Буквы индекса могут также определять включенное и выключенное состояния (чаще в скобках).
Стандартные обозначения терминов и определений
Подробные сведения об определениях, расшифровке терминов, справочных данных, и способов измерений можно найти, например, в следующих стандартах:
Стандартные термины и определения |
DIN 40 900 Т5 |
Полупроводники, символы коммутации |
DIN 41 781 |
Диоды: термины и определения |
DIN 41 785 Т3 |
Силовые полупроводники: символы |
DIN 41 858 |
Полевые транзисторы: термины и определения |
IEC 191-1...4 |
Конструктивные стандарты (корпуса) |
IEC 50 (521) 1984, (551) 1982 |
Международный словарь по инженерной электронике |
IEC 617-5 |
Графические символы, коммутационные символы для диаграмм |
IEC 971 |
Полупроводниковые преобразователи: система обозначений |
Справочные данные и процесс измерений |
DIN 41 791 Т1 |
Принцип обозначений для справочных данных |
DIN 41 792 Т2 Т3 |
Процесс измерений: диод Процесс измерений: тепловые сопротивления |
IEC 747-1: 1983 |
Полупроводниковые комплектующие / Часть 1: Основные рекомендации со ссылками на максимальные значения и характеристики, процесс измерений |
IEC 747-2: 1983, А1(1992), А2(1993) |
Выпрямительные диоды |
IEC 747-8: 1984, А1(1991), А2(1993) |
Полевые транзисторы |
IEC 60747-9: 1998 FDIS |
IGBT |
Научно-исследовательские стандарты и надежность |
IEC 664-1: 1992 |
Соглашения по изоляции электрических устройств < кВэф Раздел 1: Принципы, процесс измерений |
IEC 146-1-1: 1991/EN60146-1-1: 1993 |
Полупроводниковые преобразователи: основные требования |
DIN EN50178 (VDE0160): 4/1998 |
Электронные приборы для силовых устройств: основной процесс измерения изоляции |
IEC 947-4-2/EN60947-4-2: 1997 |
Система обозначений низковольтных устройств, часть 4 |
UL 1557: 5/1993 |
Возгораемость, безопасность изоляции |
UL 94-V0: 9/1981 |
Возгораемость пластмасс |
IEC 747-1, IX: 1983 |
Компоненты с риском ESD (электростатический разряд) |
DIN IEC 68-2... |
Испытания на надежность |
ISO 9001/EN29001: 1995 |
Система сертификации качества |
DIN EN ISO 9001: 8/1994 |
Система переквалификации качества |
|