В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Буквенные обозначения, термины, стандарты

    Буквенные обозначения и термины [264], [265]

    Напряжение: первые две буквы индекса используются для обозначения выводов, между которыми бралось напряжение. Если потенциал обозначенного первой буквой вывода положительный по сравнению с потенциалом обозначенного второй буквой индекса (относительный потенциал), приложенное напряжение положительно, например VCE.

    Для диодов "F" обозначает прямое напряжение (положительный потенциал анода по сравнению с потенциалом катода) и "R" - обратное запирающее напряжение (положительный потенциал катода по сравнению с потенциалом анода).

    У транзисторов дополнительная третья буква индекса может показывать тип цепи между выводом 2 и необозначенным третьим выводом, например VCGR, где третья буква определяет:

    S: короткое замыкание выводов 2 и 3,
    R: заданный резистор между выводами 2 и 3,
    V: заданное напряжение между выводами 2 и 3,
    X: заданные резистор и напряжение между выводами 2 и 3.

    Буквы индекса могут предшествовать или следовать за другими аббревиатурами параметров, с или без скобок, прописными или строчными буквами (например, V(BR)DS, или V(GE)th, или V(CE)sat), например:

    (BR): напряжение пробоя,
    sat: напряжение насыщения,
    (th): пороговое напряжение,
    clamp: фиксированное напряжение, ограниченное внешними цепями.

    Питающие напряжения часто обозначаются двумя буквами индекса, например VGG (напряжение питания цепи затвор-эмиттер), VCC, VDD.

    Токи: по крайней мере, одна буква индекса используется для обозначения тока.

    Положительные значения определяют положительные токи, которые поступают на вывод компонента и обозначаются первой буквой индекса, например IGE. Если нет возможности перепутать, обычно используется первая буква индекса, например IC (ток коллектора), ID, IG.

    Так же обозначаются и отрицательные токи.

    Для диодов "F" обозначает прямые токи (анод-катод) и "R" - обратные токи (катод-анод).

    Для транзисторов дополнительная третья буква индекса может показывать тип цепи между выводом 2 и необозначенным третьим выводом, например IGES, где третья буква определяет:

    S: короткое замыкание выводов 2 и 3,
    R: заданный резистор между выводами 2 и 3,
    V: заданное напряжение между выводами 2 и 3,
    X: заданные резистор и напряжение между выводами 2 и 3.

    Буквы индекса могут предшествовать или следовать за другими аббревиатурами, с или без скобок, прописными или строчными буквами, например:

    AV: среднее значение,
    RMS: эффективное значение (среднеквадратическое),
    M: импульсное (максимальное),
    R: периодическое,
    S: непериодическое (выброс)
    puls: импульсное (прямой ток).

    Другие символы: терминология, используемая для других символьных обозначений электрических, температурных и механических параметров, следует непосредственно за терминологией напряжений и токов; для дальнейших пояснений см. нижеследующую таблицу. Буквы индекса могут также определять включенное и выключенное состояния (чаще в скобках).

    Стандартные обозначения терминов и определений

    Подробные сведения об определениях, расшифровке терминов, справочных данных, и способов измерений можно найти, например, в следующих стандартах:

    Стандартные термины и определения

    DIN 40 900 Т5 Полупроводники, символы коммутации
    DIN 41 781 Диоды: термины и определения
    DIN 41 785 Т3 Силовые полупроводники: символы
    DIN 41 858 Полевые транзисторы: термины и определения
    IEC 191-1...4 Конструктивные стандарты (корпуса)
    IEC 50 (521) 1984, (551) 1982 Международный словарь по инженерной электронике
    IEC 617-5 Графические символы, коммутационные символы для диаграмм
    IEC 971 Полупроводниковые преобразователи: система обозначений

    Справочные данные и процесс измерений

    DIN 41 791 Т1 Принцип обозначений для справочных данных
    DIN 41 792 Т2
    Т3
    Процесс измерений: диод
    Процесс измерений: тепловые сопротивления
    IEC 747-1: 1983 Полупроводниковые комплектующие / Часть 1: Основные рекомендации со ссылками на максимальные значения и характеристики, процесс измерений
    IEC 747-2: 1983, А1(1992), А2(1993) Выпрямительные диоды
    IEC 747-8: 1984, А1(1991), А2(1993) Полевые транзисторы
    IEC 60747-9: 1998 FDIS IGBT

    Научно-исследовательские стандарты и надежность

    IEC 664-1: 1992 Соглашения по изоляции электрических устройств < кВэф
    Раздел 1: Принципы, процесс измерений
    IEC 146-1-1: 1991/EN60146-1-1: 1993 Полупроводниковые преобразователи: основные требования
    DIN EN50178 (VDE0160): 4/1998 Электронные приборы для силовых устройств: основной процесс измерения изоляции
    IEC 947-4-2/EN60947-4-2: 1997 Система обозначений низковольтных устройств, часть 4
    UL 1557: 5/1993 Возгораемость, безопасность изоляции
    UL 94-V0: 9/1981 Возгораемость пластмасс
    IEC 747-1, IX: 1983 Компоненты с риском ESD (электростатический разряд)
    DIN IEC 68-2... Испытания на надежность
    ISO 9001/EN29001: 1995 Система сертификации качества
    DIN EN ISO 9001: 8/1994 Система переквалификации качества


    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->