Новая низкоиндуктивная конструкция IGBT модуля для больших токов и напряжений

Очень интересной и многообещающей разработкой в высокомощной электронике (например 1.2 кА и 2.5/3.3 кА) является низкоиндуктивный FLIP-модуль (ABB Semiconductors, [6]) и SKiM20-модуль (без основной пластины) SEMIKRON (рис.1.64).

Эти модули были разработаны специально для высоких мощностей. Поэтому, задачами разработчиков были в основном высокая надежность (способность выдерживать высокую мощность и температуру), хорошие характеристики рассеивания тепла (смещенные источники тепла / низкое тепловое сопротивление), минимизация индуктивностей в модуле и в его шинах, а также мягкие параметры отказа (взрывозащищенность посредством определенной площади распределения давления).

На рис.1.64 показана основная сборка SKiM20-модуля последней версии такой конструкции.

Рис. 1.64. Конструкция IGBT модуля SKiM20

Как и в других моделях SKiM на рис.1.57, SKiM20 не имеет основной пластины. Отсюда и основные преимущества, рассмотренные в п. 1.4.2.4 (рис.1.54). Полупроводниковые кристаллы расположены на трех маленьких площадках AIN керамической подложки.

Одна керамическая подложка связана с элементом корпуса и элементом прижимной пружины, выполненной из пластмассы как и прижимная пластина форм подмодуля. Эта прижимная пружина придавливает подложку по всей ее площади к теплоотводу. Основные выводы каждого подмодуля припаяны к подложке. Управляющие и дополнительные выводы выполнены в виде прижимных контактов. Крышка корпуса также служит прижимным элементом.