Система обозначений SEMIKRON для SEMITRANS и SEMITOP силовых модулей
Различные функции, внутренние цепи, диапазон токов и напряжений, и другая информация закодирована изготовителями в их системе обозначений. Для SEMIKRON MOSFET и IGBT модулей ниже приведена система обозначений.
SEMITRANS силовые MOSFET модули
Приведена старая и новая система обозначений для SEMITRANS MOSFET модулей. Старая система обозначений была введена с первыми MOSFET модулями, некоторые из которых изготавливаются до сих пор, в конце восьмидесятых последовали рекомендации PRO-ELECTRON от SEMIKRON. Все новые разработанные модули маркируются в соответствии с новой системой, которая дает больше информации и в основном соответствует системе обозначений для SEMITRANS IGBT модулей.
| Старая система обозначений, например |
Новая система обозначений, например |
| SK M 1 5 1 A F R C |
SK M 120 B 020 |
| Компонент SEMIKRON |
Компонент SEMIKRON |
| MOS-технология |
MOS-технология |
Внутренняя схема
1: Одиночный ключ
2: Двойной (полумостовой)
3: Специальный тип
4: Счетверенный (Н-мост)
6: Шесть ключей (трехфазный мост) |
Диапазон токов стока
(ID/A при Ткорп.= 25°С)
Внутренняя схема
А: Одиночный ключ
В: Двойной (полумостовой)
D: Шесть ключей (трехфазный мост)
М: 2 MOSFETа соединенных по центру |
Диапазон напряжений
0: VDS = 50 В
1: VDS = 100 В
2: VDS = 200 В
4: VDS = 400 В |
5: VDS = 500 В
8: VDS = 800 В
9: VDS = 1000 В |
Диапазон напряжений сток-исток (VDS/V/10) |
Внутренняя компоновка
0: 4...5 параллельных кристаллов
1: 6 параллельных кристаллов
2: 2 параллельных кристалла
3: Специальный тип
4: 4 + 4 кристалла |
|
А: Лавинозащищенный одиночный кристалл
F: Встроенные быстрые обратные диоды
R: Встроенные резисторы параллельно затвору
С: Встроенный драйвер затвора (изгот. до 1996 г.) |
|
SEMITRANS IGBT модули
| Например, SK M 100 G B 12 3 D L |
| Компонент SEMIKRON |
M: MOS-технология
D: 7D-компоновка (B6-диодный входной мост с IGBT ключом)
|
Диапазон токов коллектора
(IС/A при Ткорп.= 25°С)
|
G: IGBT ключ
|
Внутренняя схема
А: Одиночный ключ
AL: Модуль с ключом (IGBT и обратный диод со стороны коллектора)
AR: Модуль с ключом (IGBT и обратный диод со стороны эмиттера)
AN: Асимметричный Н-мост
АХ: Одиночный IGBT + последовательный диод со стороны коллектора (обратное блокирование)
АY: Одиночный IGBT + последовательный диод со стороны эмиттера (обратное блокирование)
В: Двойной модуль (полумостовой)
ВD: Двойной модуль (полумостовой) + 2 последовательных диода (обратное блокирование)
D: Шесть ключей (трехфазный мост)
DL: Семь ключей (трехфазный мост + AL ключ)
Н: Полный однофазный Н-мост
М: 2 IGBT, соединенных коллекторами
|
Диапазон напряжений коллектор-эмиттер (VCE/V/10)
|
Серийный номер IGBT
0: первое поколение 1988-1991 (диапазон токов коллектора определен при Ткорп.= 80°С)
1,2: первое поколение 1988-1991 (диапазон токов коллектора определен при Ткорп.= 25°С) (600 В: PT-IGBT, диапазон токов коллектора определен при Ткорп.= 80°С)
3: второе поколение (высокой плотности NPT-IGBT на 600 В и 1200 В), первое поколение NPT-IGBT кристаллов на 1700 В, CAL-диоды;
600 В: диапазон токов коллектора определен при Ткорп.= 80°С, 1200 В-/1700 В:
диапазон токов коллектора определен при Ткорп.= 25°С; низкоиндуктивный корпус
4: высокой плотности, с малым VCEsat NPT-IGBT кристаллы (1200 В, 1700 В)
5: высокой плотности, высокоскоростные NPT-IGBT кристаллы (600 В, 1200 В)
6: Trench-NPT-IGBT кристаллы
|
Возможности
D: быстрый обратный диод
К: SEMITRANS 5 в корпусе с винтовыми выводами
L: 6 в корпусе с выводами для припаивания
S: Collector-Sense-Terminal
I: усиленный обратный диод (для больших мощностей)
|
SEMITRANS силовые модули
Диапазон SEMIKRON SEMITOP модулей включает припаиваемые силовые модули с тиристорами, диодами, силовыми MOSFET и IGBT; рассмотрены только SEMITOP с MOSFET и IGBT,
| Например, SK M 100 G B 12 3 D L |
| Компонент SEMIKRON |
Номинальный ток в А при Тh= 25°С
|
G: IGBT ключ
M: MOSFET ключ
|
Внутренняя схема
А: Одиночный ключ
AL: Модуль с ключом (IGBT и обратный диод со стороны коллектора)
AR: Модуль с ключом (IGBT и обратный диод со стороны эмиттера)
AH: Асимметричный Н-мост
В: Двойной модуль (полумостовой)
D: Шесть ключей (трехфазный мост)
Н: Полный однофазный Н-мост
|
Диапазон напряжений (VCE/V/100 или VDS/V/100)
|
IGBT-серия
2: PT-IGBT-кристаллы (только на 600 В)
3: высокой плотности, NPT-IGBT кристаллы
4: высокой плотности, с малым VCEsat NPT-IGBT кристаллы
5: высокой плотности, высокоскоростные NPT-IGBT кристаллы
|
| Возможности (еще не определены для SEMITOP с кристаллами IGBT и MOSFET) |
Быстрые обратные диоды, встроенные в каждый IGBT-SEMITOP, в системе обозначений
не отображаются.
|
