Режим включения
Когда диод переходит в проводящее состояние, напряжение в первый момент будет
возрастать до значения VFRM. Рис.1.18 показывает VFRM и время включения tft. Но эта кривая не дает достаточно информации о режиме работы обратных диодов, так как:
- рост тока в открытом состоянии di/dt настолько высокий, что, например, VFRM может возрасти до 200 В или 300 В для 1700 В диодов, что более чем в 100 раз превышает VF,
- диод обычно включается из закрытого состояния, при этом возникает VFRM, которое намного больше, чем, если бы диод включался из нейтрального состояния.
Низкое VFRM . одно из наиболее важных требований к обратным диодам, так как снабберные цепи становятся эффективны только после включения диода. Выброс напряжения также важен для обратных диодов, которые работают при обратных напряжениях > 1200 В. При выключении IGBT, возникает импульс напряжения из-за паразитной индуктивности, который суммируется с VFRM обратного диода, что может привести к перенапряжениям. Однако эти измерения нетривиальны, поскольку индуктивная составляющую и VFRM нельзя разделить специальными схемами. Измерения можно сделать при открытой конструкции непосредственно на выводах диода.
С другой стороны, режим включения диода не важен при балансе потерь мощности, так как потери на включение намного меньше, чем при выключении и при прохождении прямого тока, так что ими можно пренебречь.
|
